28 marzo 2015 Hardware

3DNAND

Intel y Micron han presentado conjuntamente a finales de esta semana una nueva tecnología, denominada 3D NAND, que permitirá incrementar por 3 la capacidad de almacenamiento de los dispositivos con memoria flash. No solo eso, la tecnología 3D NAND reduce además el coste de fabricación y ofrece un rendimiento superior con una menor latencia.

Pero por si eso os parece poco, esta nueva tecnología es capaz también de reducir el consumo de batería cuando el dispositivo está en reposo.

La repercusión que esta nueva tecnología puede tener en futuros productos de Apple puede ser muy grande. La tecnología NAND actual ha llegado prácticamente a sus límites, lo que supone que la capacidad de almacenamiento de estas memorias flash sigue estando muy por debajo de los discos duros convencionales. Sin embargo, con 3D NAND sería posible contar en un Macbook con una capacidad de almacenamiento de hasta 10TB, muy por encima de lo que Apple puede ofrecer actualmente en el Macbook Pro (1TB).

Intel y Micron consideran que 3D NAND es el futuro de las memorias flash para cualquier tipo de dispositivo, desde smartphones hasta superordenadores. El trabajo conjunto de ambas compañías ha logrado desarrollar una nueva tecnología de almacenamiento en estado solido que ofrece un alto rendimiento y eficiencia por encima de cualquier otra alternativa disponible hoy en día.

3D NAND cuenta con una nueva arquitectura en la que las celdas flash se almacenan verticalmente en 32 capas, lo que permite obtener celdas multi-nivel de 256Gb, o 384Gb si son de triple nivel. Las de 256Gb van a estar a disposición de algunos fabricantes de dispositivos desde la próxima semana para que puedan estudiar su posible implementación en futuros productos, mientras que las de 384Gb estarán disponibles a finales de esta primavera.

La producción de estas nuevas memorias flash comenzará en el último trimestre del año, por lo que el próximo año deberíamos comenzar a ver los primeros dispositivos que las incorporen.

Vía| Macrumors

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